Simulation and modeling of emerging devices : tunnel field-effect and fin field effect transistors /

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Bhowmick, Brinda (Autor), Goswami, Rupam (Autor), Saha, Rajesh (Autor)
Formato:	Electrónico eBook
Lenguaje:	inglés
Publicado:	Newcastle upon Tyne, England : Cambridge Scholars Publishing, [2023]
Materias:	Field-effect transistors. Nanoelectronics. Electronic books.
Acceso en línea:	https://elibro.net/ereader/ipchile/232834
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