Artificial Spin Ice Phase-Change Memory Resistors

We study the implications of the anisotropic magnetic resistance on permalloy nanowires, and in particular on the property of the resistance depending on the type of lattice. We discuss how the internal spin configuration of artificial spin ice nanowires can affect their effective resistive state, a...

Descripción completa

Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Caravelli, Francesco, Chern, Gia-Wei, Nisoli, Cristiano
Formato: Artículo
Publicado: 2019
Materias:
Acceso en línea:https://arxiv.org/abs/1908.08073
http://arxiv.org/abs/1908.08073
Etiquetas: Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!