Análisis experimental de la inestabilidad del voltaje de umbral mediante la caracterización eléctrica uf-otf en mosfets de potencia fabricados en nitruro de galio

In this article, the experimental procedure for the temporary degradation of the PBTI and NBTI electrical parameters in a group of n-channel GaN MOSFETs devices is analyzed. The results were obtained by applying the ultra-fast UF-OTF characterization method, which allows evaluating the temporal e...

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Detalles Bibliográficos

Autores principales:	Guevara Cabezas, Esteban Augusto, Rocha Jácome, Cristian Javier, Santacruz Sulca, Fabricio Javier, Tinajero León, José Luis
Formato:	Artículo
Lenguaje:	español
Publicado:	2022
Materias:	GaN MOSFETs BTI UF-OTF
Acceso en línea:	https://dialnet.unirioja.es/servlet/oaiart?codigo=9042667
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