3-D Quantum Numerical Simulation of Transient Response in Multiple-Gate Nanowire MOSFETs Submitted to Heavy Ion Irradiation
None
Guardado en:
| Autores principales: | , |
|---|---|
| Formato: | Capítulo de libro |
| Lenguaje: | inglés |
| Publicado: |
IntechOpen
2011
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://www.intechopen.com/chapters/12696 |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|