Effect of Native Oxide on the Electric Field-induced Characteristics of Device-quality Silicon at Room Temperature

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Khlyap, Halyna, Laptev, Viktor, Pankiv, Luydmila, Tsmots, Volodymyr
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:inglés
Publicado: IntechOpen 2011
Materias:
Acceso en línea:https://www.intechopen.com/chapters/17723
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