Creation of Ordered Layers on Semiconductor Surfaces: An ab Initio Molecular Dynamics Study of the SiC(001)-3×2 and SiC(100)-c(2×2) Surfaces

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Zhang, Yanli, Tuckerman, Mark E.
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:inglés
Publicado: IntechOpen 2011
Materias:
Acceso en línea:https://www.intechopen.com/chapters/21146
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