Application of Molecular Dynamics Simulations to Plasma Etch Damage in Advanced Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

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Detalles Bibliográficos
Autor principal: Eriguchi, Koji
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:inglés
Publicado: IntechOpen 2012
Materias:
Acceso en línea:https://www.intechopen.com/chapters/35491
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