Conductance Deep-Level Transient Spectroscopic Study of 4H- SiC MESFET and Traps

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Gassoumi, Malek, Maaref, Hassen
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:inglés
Publicado: IntechOpen 2012
Materias:
Acceso en línea:https://www.intechopen.com/chapters/38133
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