Advances in Resistive Switching Memories Based on Graphene Oxide

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Zhuge, Fei, Fu, Bing, Cao, Hongtao
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:inglés
Publicado: IntechOpen 2013
Materias:
Acceso en línea:https://www.intechopen.com/chapters/38838
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