Radiation Response of Silicon Carbide Diodes and Transistors

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Ohshima, Takeshi, Onoda, Shinobu, Iwamoto, Naoya, Makino, Takahiro, Arai, Manabu, Tanaka, Yasunori
Formato:	Capítulo de libro
Lenguaje:	inglés
Publicado:	IntechOpen 2012
Materias:	Physical Sciences, Engineering and Technology
Acceso en línea:	https://www.intechopen.com/chapters/38917
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