Aproximación de Parámetros Físicos en Silicio Poroso Infiltrado con Óxido de Titanio

Titanium oxide infiltrated in porous silicon system is studied using infrared spectroscopy (FTIR), photoluminescence (FL), scanning electron microscopy (SEM), and energy dispersive X-ray spectroscopy (EDS). The results of characterization and a model proposed in the literature, the parameters of mat...

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Nieto Caballero, Fabiola Gabriela, Romano Trujillo, Roman, Garcia Jiménez, Miguel, Rosendo Andres, Enrique, Sanchez Padilla, Minerva
Formato: Artículo
Lenguaje:español
Publicado: 2024
Materias:
Acceso en línea:https://dialnet.unirioja.es/servlet/oaiart?codigo=9481489
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