Strain Effects in p-type Devices using Full-Band Monte Carlo Simulations

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Aubry-Fortuna, Valérie, Huet, Karim, Nghiêm, T.T. Trang, Bournel, Arnaud, Saint-Martin, Jérôme, Dollfus, Philippe
Formato:	Capítulo de libro
Lenguaje:	inglés
Publicado:	IntechOpen 2011
Materias:	Physical Sciences, Engineering and Technology
Acceso en línea:	https://www.intechopen.com/chapters/14001
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