A Pearson Effective Potential for Monte-Carlo Simulation of Quantum Confinement Effects in nMOSFETs

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Jaud, Marie-Anne, Barraud, Sylvain, Dollfus, Philippe, Saint-Martin, Jérôme, Bournel, Arnaud, Jaouen, Hervé
Formato:	Capítulo de libro
Lenguaje:	inglés
Publicado:	IntechOpen 2011
Materias:	Physical Sciences, Engineering and Technology
Acceso en línea:	https://www.intechopen.com/chapters/14017
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