Identification and Kinetic Properties of the Photosensitive Impurities and Defects in High-Purity Semi-Insulating Silicon Carbide

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Savchenko, D. V., Shanina, B. D., Kalabukhova, E. N.
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:inglés
Publicado: IntechOpen 2011
Materias:
Acceso en línea:https://www.intechopen.com/chapters/15083
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