The Formation of Silicon Carbide in the SiCx Layers (x = 0.03–1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Nussupov, Kair Kh., Beisenkhanov, Nurzhan B.
Formato:	Capítulo de libro
Lenguaje:	inglés
Publicado:	IntechOpen 2011
Materias:	Physical Sciences, Engineering and Technology
Acceso en línea:	https://www.intechopen.com/chapters/21140
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