Investigation of Lattice Defects in GaAsN Grown by Chemical Beam Epitaxy Using Deep Level Transient Spectroscopy
None
Guardado en:
| Autores principales: | , , , , |
|---|---|
| Formato: | Capítulo de libro |
| Lenguaje: | inglés |
| Publicado: |
IntechOpen
2011
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://www.intechopen.com/chapters/22578 |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Sea el primero en dejar un comentario!