A Compact Model of DMG-GC-DOTTDCD Cylindrical Gate MOSFET
<p id="p1">A comprehensive analysis of the surface potential, threshold voltage, and subthreshold swing (SS) for dual-metal gate graded channel and dual oxide thickness with two different dielectric constants cylindrical gate (DMG-GC-DOTTDCD) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFE...
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| Autores principales: | , , , |
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| Formato: | Capítulo de libro |
| Lenguaje: | inglés |
| Publicado: |
IntechOpen
2024
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://www.intechopen.com/chapters/1179645 |
| Etiquetas: |
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