The Influence of Vanadium Doping on the Physical and Electrical Properties of Non-Volatile Random Access Memory Using the BTV, BLTV, and BNTV Oxide Thin Films

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Detalles Bibliográficos
Autores principales: Chen, Kai-Huang, Cheng, Chien-Min, Wu, Sean, Liao, Chin-Hsiung, Tsai, Jen-Hwan
Formato: Capítulo de libro
Lenguaje:inglés
Publicado: IntechOpen 2012
Materias:
Acceso en línea:https://www.intechopen.com/chapters/40446
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Descripción
Sumario:None
ISBN:978-953-51-0885-6
DOI:10.5772/52203